分光干涉式晶片厚度計(jì)的作用
特性
采用近紅外 SLD，即使已貼附 BG 帶也可測(cè)量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于圖案而產(chǎn)生的顯著差異，也可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的線上測(cè)量。
即使已貼附背面研磨帶也可測(cè)量晶片厚度
將圖案的影響降到小
可上進(jìn)行測(cè)量
自動(dòng)映射整個(gè)晶片的厚度分布
的只測(cè)量晶片厚度
SI-F80R 系列使用近紅外 SLD，可穿過(guò)硅、砷化鎵、碳化硅、磷化銦、非晶硅及其它半導(dǎo)體。
幾乎不受晶片圖案的影響
通過(guò)減小光點(diǎn)直徑和光點(diǎn)內(nèi)的表面相差，可限度的減少晶片表面圖案的變化和測(cè)量警報(bào)的發(fā)生次數(shù)。
之前的所有問(wèn)題迎刃而解
可解決傳統(tǒng)晶片測(cè)量方法所存在的問(wèn)題的測(cè)量裝置。
測(cè)量原理
以簡(jiǎn)單易懂的方式解釋達(dá)到超高精度的測(cè)量原理。

即使已貼附背面研磨帶也可測(cè)量晶片厚度 
將圖案的影響降到小 
可上進(jìn)行測(cè)量 
自動(dòng)映射整個(gè)晶片的厚度分布 
的只測(cè)量晶片厚度 
的只測(cè)量晶片厚度 
SI-F80R 系列使用近紅外 SLD，可穿過(guò)硅、砷化鎵、碳化硅、磷化銦、非晶硅及其它半導(dǎo)體。 
幾乎不受晶片圖案的影響 
通過(guò)減小光點(diǎn)直徑和光點(diǎn)內(nèi)的表面相差，可限度的減少晶片表面圖案的變化和測(cè)量警報(bào)的發(fā)生次數(shù)。 
之前的所有問(wèn)題迎刃而解 
可解決傳統(tǒng)晶片測(cè)量方法所存在的問(wèn)題的測(cè)量裝置。

分光干涉式晶片厚度計(jì)的作用